产品中心

射极输出型光耦

射极输出型光耦

产品特点
隔离电压:500V
TTL/ LSTTL/CMOS等电路相容
静电等级:1000V

光开关型光电耦合器

光开关型光耦

产品特点
双向输出
导通电压:Vs≤5mv
各通道互相隔离
四通道结构

无引线封装型光耦

无引线封装型光耦

产品特点
隔离电压:1000V
TTL/ LSTTL/CMOS等电路相容
静电等级:1000V

高速 TTL 电平集电极开路输出型光耦

高速 TTL 电平集电极开路输出型光耦

产品特点
速度:tr≤50ns;tf≤20ns
隔离电压:1000V
集电极开路输出
TTL/LSTTL/CMOS电平兼容

无引线封装型光耦

无引线封装型光耦

产品特点
隔离电压:1000V
TTL/ LSTTL/CMOS等电路相容
静电等级:1000V
FT-49-H249S抗辐射总剂量达100krad(Si)

10Mbit/s 集电极开路输出型光耦

产品特点
电源电压:2.7V~5.5V
隔离电压:1000V
集电极开路
最高速度:10Mbit/s
静电等级:1000V

TO 封装型光耦

TO 封装型光耦

产品特点
集电极开路输出
集-发击穿电压V(BR)CEO:80V
静电等级:1000V

1Mbit/s 集电极开路输出型光耦

1Mbit/s 集电极开路输出型光耦

产品特点
电源电压:2V~18V
隔离电压:1000V
集电极开路
最高速度:1Mbit/s
静电等级:1000V

双列直插晶体管输出型光耦

双列直插晶体管输出型光耦

产品特点
集电极开路输出
集-发击穿电压V(BR)CEO:100
静电等级:1000V

贴片式晶体管输出型光耦

贴片式晶体管输出型光耦

产品特点
集电极开路输出

集-发击穿电压V(BR)CEO:100V
静电等级:1000V

高工作电压集电极开路输出型光耦

高工作电压集电极开路输出型光耦

产品特点
最高工作电压:30V
隔离电压:1500V
集电极开路输出
最高速度1Mbit/s

三端达林顿输出型光耦

三端达林顿输出型光耦

产品特点
高电流传输比:1800%(典型值)
隔离电压:1000V
集电极开路反相输出
低电流驱动:0.5mA
TTL/ LSTTL/CMOS等电路兼容

FT-88-6N138/6N139

FT-88-6N138/6N139

1.Features
High current transfer ratio – 2000%typical.

Low input current requirements – 0.5mA

两端达林顿输出型光耦

两端达林顿输出型光耦

产品特点
电源电压:2V~50V
隔离电压:1000V
集电极开路
静电等级:1000V

FT-88-6N137

FT-88-6N137

1.Features
(1)3.3v / 5V supply voltage

(2)low power consumption

晶闸管输出型光耦

晶闸管输出型光耦

产品特点
隔离电压:2000V
输出耐压:400V
TTL/LSTTLCMOS等电路相容
晶闸管输出型

FT-88-50LS/FT-88-50LW

FT-88-50LS/FT-88-50LW

1.Features
(1)High common mode transient immunity (CMH, CML= 15 kV/s MIN.)

(2)Half size of 8-pin DIP

反射式光耦

反射式光耦

产品特点
隔离电压:500V
无磁铜底座,微磁封装
编码盘表面红外吸收处理,提高了反光比

FT-88-M501

FT-88-M501

1.Features
(1). High speed - 1MBd model.

(2). Adapted to the dual-in-line, lead spacing width, surface installation.

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