应用领域
•可编程控制器
•电磁阀/阀门控制
•灯泡镇流器
•静态交流电源开关
•温度控制
•电机控制
The FT-W13X are consists of an infrared emitting diode optically coupled to a high speed photo detector output. It is pack aged in a 8-pin wide body package and available in wide lead spacing and SMD options.
The FT-S511 series devices each consist of an infrared emitting diode, optically coupled to a high speed photo detector transistor.
概述
FT-X2-MOC304X,FT-X2-MOC306X,FT-X2-MOC308X 系列器件中系由一个GaAs红外发光二极管一个硅感光双向可控硅组成的光电耦合器件。元件设计为电子及功率双向可控硅控制单元，可应用于交流240V以下的电阻及电感负载等电路之间的信号传输，使输入端与负载完全隔离，目的在于增加安全性，减小电路干扰，减化电路设计。
应用领域
● 消除接地环路
● 将LSTTL转换为TTL，LSTTL或5伏CMOS
● 线路接收器，数据传输
● 数据复用
● 开关电源
● 更换脉冲变压器
● 计算机外围设备接口
● 高速逻辑接地隔离
概述
FT-X2-MOC304X,FT-X2-MOC306X,FT-X2-MOC308X 系列器件中系由一个GaAs红外发光二极管一个硅感光双向可控硅组成的光电耦合器件。元件设计为电子及功率双向可控硅控制单元，可应用于交流240V以下的电阻及电感负载等电路之间的信号传输，使输入端与负载完全隔离，目的在于增加安全性，减小电路干扰，减化电路设计。
应用领域
● 消除接地环路
● 将LSTTL转换为TTL，LSTTL或5伏CMOS
● 线路接收器，数据传输
● 数据复用
● 开关电源
● 更换脉冲变压器
● 计算机外围设备接口
● 高速逻辑接地隔离
概述
FT-X2-MOC304X,FT-X2-MOC306X,FT-X2-MOC308X 系列器件中系由一个GaAs红外发光二极管一个硅感光双向可控硅组成的光电耦合器件。元件设计为电子及功率双向可控硅控制单元，可应用于交流240V以下的电阻及电感负载等电路之间的信号传输，使输入端与负载完全隔离，目的在于增加安全性，减小电路干扰，减化电路设计。
应用领域
● 消除接地环路
● 将LSTTL转换为TTL，LSTTL或5伏CMOS
● 线路接收器，数据传输
● 数据复用
● 开关电源
● 更换脉冲变压器
● 计算机外围设备接口
● 高速逻辑接地隔离
概述
FT-X2-MOC302X,FT-X2-MOC305X 系列产品由一颗 GaAs红外二极管和一颗光电TRIAC组成光电耦合器件。
应用领域
● 消除接地环路
● 将LSTTL转换为TTL，LSTTL或5伏CMOS
● 线路接收器，数据传输
● 数据复用
● 开关电源
● 更换脉冲变压器
● 计算机外围设备接口
● 高速逻辑接地隔离
概述
FT-X2-MOC302X,FT-X2-MOC305X 系列产品由一颗 GaAs红外二极管和一颗光电TRIAC组成光电耦合器件。
应用领域
● 消除接地环路
● 将LSTTL转换为TTL，LSTTL或5伏CMOS
● 线路接收器，数据传输
● 数据复用
● 开关电源
● 更换脉冲变压器
● 计算机外围设备接口
● 高速逻辑接地隔离
The FT-M452 and FT-M453 devices each consist of an infrared emitting diode, optically coupled to a high speed photo detector transistor.
Description
These small outline high CMR, high speed, logic gate optocouplers are single channel devices in a five lead miniature footprint.
The FT-0500, FT-0501, FT-0452 and FT-0453 devices each consist of an infrared emitting diode, optically coupled to a high speed photo detector transistor.
概述
FT-X2-6N137光耦合器由一个850纳米的AlGaAS LED和一个集成光电探测器高速逻辑门输出器件组成。它的封装形式有DIP-8和SMD-8。一个内部噪声屏蔽提供了典型值为10KV/μs优越的共模抑制典型。FT-X2-6N137的最低共模抑制比为5KV/μs。
The FT-6N13X are consists of an infrared emitting diode optically coupled to a high speed photo detector output. It is pack aged in a 8-pin DIP package and available in wide lead spacing and SMD options.
概述
通用经济型光MOS继电器FT-X2-AQW21x，有8引脚封装的双通道单刀单掷（2 Form A）和4引脚封装的单通道单刀单掷（1 Form A）可供选用，增强隔离电压5000V。